硅光电池的分类
1、晶体硅光电池
晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，经过磷（或硼）分散构成Pn结成制作，生产技能老练，是光伏商场上的主导产品。选用埋层电极、外表钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及触摸电极等技能，进步材猜中的载流子搜集功率，优化抗反肘膜、凹凸外表、高反射背电极等办法，光电转化功率有较大进步。单晶硅光电池面积有限，现在比较大的为 ∮10至 20cm的圆片，年产能力46MW/a。现在首要课题是持续扩展工业规划，开发带状硅光电池技能，进步资料利用率。世界公认最高功率在AM1.5条件下为24％，空间用高质量的功率在AMO条件约为13.5—18％地上用大量生产的在AM1条件下多在11—18％之间。以定向凝结法成长的铸造多晶硅锭替代＃晶硅，可降低本钱，但功率较低。优化正背电极的银浆和铝浆丝网印刷，磨图抛工艺，想方设法进一步降本钱，进步功率，大晶粒多晶硅光电池的转化功率最高达18.6［%］。
2、非晶硅光电池
a－Si（非晶硅）光电池一般选用高频辉光放电办法使硅烷气体分化堆积而成。因为外解堆积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上堆积约1μm厚的薄膜，易于大面积化（05rn&TImes;l.0m），本钱较低，多选用p in结构。为进步功率和改进安稳性，有时还制成三层P in等多层叠层式结构，或是刺进一些过渡层。其商品化产值接连增加，年产能力45MW／a，10MW生产线已投入生产，全球商场用量每月在1千万片左右，居薄膜电池首位。开展集成型a－Si光电池组件，激光切开的运用有用面积达90％以上，小面积转化功率进步到 14.6％，大面积大量生产的为8－10％，叠层结构的最高功率为21％。研制意向是改进薄膜特性，准确规划光电池结构和操控各层厚度，改进各层之间界面状况，以求得高功率和高安稳性。
3、多晶硅光电池
P－Si（多晶硅，包含微品）光电池没有光致阑珊效应，资料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是世界上正掀起的前沿性研讨抢手。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转化功率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可进步到23.7［%］，用CVD法制备的转化功率约为12.6—l7.3［%］。选用廉价衬底的p—si薄膜成长办法有PECVD和热丝法，或对a—si：H资料膜进行后退火，到达低温固相晶化，可别离制出功率9.8［%］和9.2［%］的无退化电池。微晶硅薄膜成长与a—si工艺相容，光电功能和安稳性很高，研讨遭到很大注重，但功率仅为7.7％大面积低温p—si膜与—si组成叠层电池结构，是进步比a—S光电池安稳性和转化功率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论核算标明其功率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池功能发生突破性开展。铜烟硒光电池 CIS（铜锁硒）薄膜光电池己成为世界先伏界研讨开发的抢手课题，它具有转化功率高（已到达17.7％），功能安稳，制作本钱低的特色。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上别离堆积多层膜而构成的，厚度可做到2－3μrn，吸收层CIS膜对电池功能起着决定性效果。现已开宣布反响共蒸法和硒化法（溅射、蒸腾、电堆积等）两大类多种制备办法，其它外层一般选用真空蒸腾或溅射成膜。阻止其开展的原风是工艺重复性差，高效电池成品率低，资料组分较杂乱，缺少操控薄膜成长的分析仪器。CIS光电池正遭到工业界注重，一些闻名公司意识到它在未来动力商场中的远景和所在位置，活跃扩展开发规划，着手组成中试线及制作厂。
