新一代200 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC / DC转化器的抱负功率器材。
增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转化公司（EPC）最新推出的两款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），功能更高而一起本钱更低，现在已有供货。选用这些抢先氮化镓器材的使用非常宽广，包含D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器（MPPT）、DC/DC转化器（硬开关和谐振式），以及多电平高压转化器。
EPC2215（8 mΩ、162 Apulsed）和EPC2207（22 mΩ、54 Apulsed）的尺度比前代200 V eGaN器材大约缩小50%，而功能却倍增。 与基准硅器材比较，这两款氮化镓器材的功能更高。 EPC2215的导通阻抗降低了33％，但尺度却缩小了15倍。 其栅极电荷（QG）较基准硅MOSFET器材小十倍，并且与一切eGaN FET相同，没有反向恢复电荷（QRR），然后使得D类音频放大器可以完成更低的失真，以及完成更高效的同步整流器和电机驱动器。
Performance comparison of benchmark silicon 200 V FET vs. 200 V eGaN FETs
EPC首席执行官兼一起创办人Alex Lidow表明：“最新一代的eGaN FET在具有更高效散热的更小型尺度内，完成更高的功能，并且其本钱与传统MOSFET器材相若。氮化镓器材必定可代替逐步老化的功率MOSFET器材的趋势日益显着。
EPC公司与得克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心（SPEC）合作开发了的400 V、2.5 kW、根据eGaN FET、四电平飞跨电容（FCML）图腾柱无桥整流器，适用于数据中心，它使用了最新的200 V 氮化镓场效应晶体管（EPC2215）。 得克萨斯大学奥斯汀分校的Alex Huang教授说：“ 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的优胜特性使得转化器可以完成高功率密度、超高功率和低谐波失真。”
