在运用电子元器材时，你有时候不可避免地会闻到显着是芯片烧焦的滋味。这都是反向电流惹的祸。反向电流便是因为呈现了高反向偏置电压，体系中的电流以相反的方向运转；从输出到输入。走运的是，有许多办法能够维护你的体系不受反向电流的影响。这是反向电流维护系列博文的榜首篇文章，在这篇文章中，你将能够对现有解决方案有高层次的整体知道和了解。
原因
反向电流的最常见原因，即反向偏置电压，便是输出上的电压要高于输入上的电压，从而使电流在体系中的活动方向与你期望的活动方向相反。图1中显现了这个状况。
图1：反向电流
VIN 因为功率损耗忽然变为零，使得体系输出上的电压高于输入电压，这种状况是有或许发生的。或者是电源MUXing意外地导致了一个反向电压事情。
怎么避免？
反向电流有或许损坏内部电路和电池等电源。事实上，乃至是电缆都有或许被损坏，衔接器的功用也会被下降。这也是器材着火的原因，便是因为大电流导致功率耗散呈指数等级的上升。
维护功用需要将反向电流坚持在十分低的水平上。这意味着关于反向电压的约束。有三种常用的办法能够避免反向电流：规划一个运用二极管、FET或负载开关的体系。
二极管
二极管与FET比较，它的本钱更低，更易于集成。它们十分适合于高压、低电流运用。但是，假如你从前运用过二极管的话，你必定十分了解它所导致的正向压降，而这会缩短电池运用寿命，而且使VCC（通常状况下）大约下降0.6-0.8V。这个压降会下降电源电路的功率，而且添加体系的整体功率耗散。
根据这些原因，肖特基二极管是常见的代替器材；它们的正向压降更低。不过，它们也愈加贵重，且具有更高的反向电流走漏，而这会导致体系问题。图2显现的是体系中的一个用来阻断反向电流的二极管。
图2：二极管反向电流维护
FET
因为其低正向电压和高电流处理才能，FET会在你有必要坚持较低功率耗散时供给协助。关于一个放置在接地途径中的N类型金属氧化物半导体 （NMOS） FET来说，你使体二极管的方向与正常电流流向坚持一致。经过运用这种办法，假如有人过错地装置了电池，栅极电压为低电平，这就避免了FET接通。但是，当电池装置正确时，栅极电压为高电平，它的通道短接至地。
为了在FET封闭时阻断两个方向上的电流，你还能够将FET背靠背衔接。与二极管解决方案比较，电源到负载的压降更低，不过这种完成方法占用了很多的电路板面积。图3显现了用来阻断反向电流的背靠背FET示例。
图3：用双FET完成的反向电流阻断
负载开关
TI负载开关是用来接通和封闭电源轨的集成电子中继器。大多数根本负载开关选用小型集成封装，由四个引脚组成：输入电压、输出电压、使能、和接地，而且包括多重特性，其中有反向电流维护。图4显现了一个用来阻断反向电流的负载开关。
图4：负载开关反向电流维护
例如，德州仪器 （TI） 的TPS22963 3A负载开关集成了反向电流维护以及更多其它功用，这些功用全都包括在一个1.4mm x .9mm的封装内。图5显现的是TPS22963在体系中的常见放置方位。
图5：TPS22963负载开关
有数个原因会导致反向电流，VIN的忽然损耗，或者是电源MUXing中的突发事情。这会导致体系损坏，乃至会损坏电源。TI负载开关能够成为办理反向电流的一个尺度、本钱都很适宜的解决方案。
