1. 晶振与晶体的差异
1) 晶振是有源晶振的简称，又名振动器。英文名称是oscillator。晶体则是无源晶振的简称，也叫谐振器。英文名称是crystal.
2) 无源晶振(晶体)一般是直插两个脚的无极性元件，需求凭借时钟电路才干发生振动信号。常见的有49U、49S封装。
3) 有源晶振(晶振)一般是表贴四个脚的封装，内部有时钟电路，只需供电便可发生振动信号。一般分7050、5032、3225、2520几种封装方式。
2. MEMS硅晶振与石英晶振差异
MEMS硅晶振选用硅为原材料，选用先进的半导体工艺制作而成。因此在高功用与低成本方面，有显着于石英的优势，详细体现在以下方面：
1) 全自动化半导体工艺(芯片级)，无气密性问题，永不断振。
2) 内部包含温补电路，无温漂，-40—85℃全温确保。
3) 均匀无故障作业时刻5亿小时。
4) 抗震功用25倍于石英振动器。
5) 支撑1-800MHZ任一频点，准确致小数点后5位输出。
6) 支撑1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多种作业电压匹配。
7) 支撑10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各种精度匹配。
8) 支撑7050、5032、3225、2520一切标准尺度封装。
9) 标准四脚、六脚封装，无需任何规划改动，直接代替石英振动器。
10) 支撑差分输出、单端输出、压控(VCXO)、温补(TCXO)等产品品种。
11) 300%的商场增长率，三年内有望代替80%以上的石英振动器商场。
3. 晶体谐振器的等效电路
上图是一个在谐振频率邻近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。其间：C1为动态电容也称等效串联电容;L1为动态电感也称等效串联电感;R1为动态电阻也称等效串联电阻;C0为静态电容也称等效并联电容。
这个等效电路中有两个最有用的零相位频率，其间一个是谐振频率(Fr)，另一个是反谐振频率(Fa)。当晶体元件实践使用于振动电路中时，它一般还会与一负载电容相联接，一同效果使晶体作业于Fr和Fa之间的某个频率，这个频率由振动电路的相位和有用电抗确认，经过改动电路的电抗条件，就可以在有限的规模内调理晶体频率。
4. 要害参数
4.1 标称频率
指晶体元件标准中所指定的频率，也即用户在电路规划和元件选购时所期望的抱负作业频率。
4.2 调整频差
基准温度时，作业频率相关于标称频率的最大答应违背。常用ppm(1/106)表明。
4.3 温度频差
在整个温度规模内作业频率相关于基准温度时作业频率的答应违背。常用ppm(1/106)表明。
4.4 老化率
指在规则条件下，由于时刻所引起的频率漂移。这一目标对精细晶体是必要的，但它“没有清晰的实验条件，而是由制作商经过对一切产品有方案抽验进行接连监督的，某些晶体元件或许比规则的水平要差，这是答应的”(依据IEC的布告)。老化问题的最好解决方法只能靠制作商和用户之间的亲近洽谈。
4.5 谐振电阻(Rr)
指晶体元件在谐振频率处的等效电阻，当不考虑C0的效果，也近似等于所谓晶体的动态电阻R1或称等效串联电阻(ESR)。这个参数操控着晶体元件的品质因数，还决议所使用电路中的晶体振动电平，因此影响晶体的安稳性致使是否可以抱负的起振。所以它是晶体元件的一个重要目标参数。一般的，关于一给定频率，选用的晶体盒越小，ESR的均匀值或许就越高;绝大多数状况，在制作过程中并不能估计详细某个晶体元件的电阻值，而只能确保电阻将低于标准中所给的最大值。
4.6 负载谐振电阻(RL)
指晶体元件与规则外部电容相串联，在负载谐振频率FL时的电阻。对一给定晶体元体，其负载谐振电阻值取决于和该元件一同作业的负载电容值，串上负载电容后的谐振电阻，总是大于晶体元件自身的谐振电阻。
4.7 负载电容(CL)
与晶体元件一同决议负载谐振频率FL的有用外界电容。晶体元件标准中的CL是一个测验条件也是一个运用条件，这个值可在用户详细运用时依据状况作恰当调整，来微调FL的实践作业频率(也即晶体的制作公役可调整)。但它有一个合适值，不然会给振动电路带来恶化，其值一般选用10pF、15pF 、20pF、30pF、50pF、∝等，其间当CL标为∝时表明其使用在串联谐振型电路中，不要再加负载电容，并且作业频率便是晶体的(串联)谐振频率Fr。用户应当留意，关于某些晶体(包含不封装的振子使用)，在某一出产标准既定的负载电容下(特别是小负载电容时)，±0.5pF的电路实践电容的差错就能发生±10×10-6的频率差错。因此，负载电容是一个非常重要的订购标准目标。
4.8 静态电容(C0)
等效电路静态臂里的电容。它的巨细首要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。
4.9 动态电容(C1)
等效电路中动态臂里的电容。它的巨细首要取决于电极面积，别的还和晶片平行度、微调量的巨细有关。
4.10 动态电感(L1)
等效电路中动态臂里的电感。动态电感与动态电容是一对相关量。
4.11 谐振频率(Fr)
指在规则条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个频率。依据等效电路，当不考虑C0的效果，Fr由C1和L1决议，近似等于所谓串联(支路)谐振频率(Fs)。这一频率是晶体的天然谐振频率，它在高稳晶振的规划中，是作为使晶振安稳作业于标称频率、确认频率调整规模、设置频率微调设备等要求时的规划参数。
4.12 负载谐振频率(FL)
指在规则条件下，晶体元件与一负载电容串联或并联，其组合阻抗呈现为电阻性时两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，FL是两个频率中较低的那个频率;在并联负载电容时，FL则是其间较高的那个频率。关于某一给定的负载%&&&&&%值(CL)，就实践效果，这两个频率是相同的;并且
这一频率是晶体的绝大多数使用时，在电路中所体现的实践频率，也是制作厂商为满意用户对产品契合标称频率要求的测验目标参数。
4.13 品质因数(Q)
品质因数又称机械Q值，它是反映谐振器功用好坏的重要参数，它与L1和C1有如下联系：
Q=wL1/R1=1/wR1C1
如上式，R1越大，Q值越低，功率耗散越大，并且还会导致频率不安稳。反之Q值越高，频率越安稳。
4.14 鼓励电平(Level of drive)
是一种用耗散功率表明的，施加于晶体元件的鼓励条件的丈量。一切晶体元件的频率和电阻都在必定程度上随鼓励电平的改动而改动，这称为鼓励电平相关性(DLD)，因此订购标准中的鼓励电平须是晶体实践使用电路中的鼓励电平。正由于晶体元件固有的鼓励电平相关性的特性，用户在振动电路规划和晶体运用时，有必要留意和确保不呈现鼓励电平过低而起振不良或过度鼓励频率反常的现象。
4.15 鼓励电平相关性(DLD)
由于压电效应，鼓励电平逼迫谐振子发生机械振动，在这个过程中，加速度功转化为动能和弹功用，功耗转化为热。后者的转化是由于石英谐振子的内部和外部的冲突所形成的。
冲突损耗与振动质点的速度有关，当震动不再是线性的，或当石英振子内部或其外表及安点缀的拉伸或应变、位移或加速度到达临界时，冲突损耗将添加。因此引起频率和电阻的改动。
加工过程中形成DLD不良的首要原因如下，其成果或许是不能起振：
1) 谐振子外表存在微粒污染。首要发生原由于出产环境不洁净或不合法触摸晶片外表;
2) 谐振子的机械损害。首要发生原由于研磨过程中发生的划痕。
3) 电极中存在微粒或银球。首要发生原由于真空室不洁净和镀膜速率不合适。
4) 装架是电极触摸不良;
5) 支架、电极和石英片之间存在机械应力。
4.16 DLD2(单位：欧姆)
不同鼓励电平下的负载谐振电阻的最大值与最小值之间的差值。(如：从0.1uw~200uw,一共20步)。
4.17 RLD2(单位：欧姆)
不同鼓励电平下的负载谐振电阻的均匀值<与谐振电阻Rr的值比较挨近，但要大一些>。(如：从0.1uw~200uw,一共20步)。
4.18 寄生呼应
一切晶体元件除了主呼应(需求的频率)之外，还有其它的频率呼应。削弱寄生呼应的方法是改动晶片的几许尺度、电极，以及晶片加工工艺，可是一起会改动晶体的动、静态参数。
寄生呼应的丈量
1) SPDB 用DB表明Fr的起伏与最大寄生起伏的差值;
2) SPUR 在最大寄生处的电阻;
3) SPFR 最小电阻寄生与谐振频率的间隔，用Hz或ppm表明。
5. 晶体振动器的分类
5.1 Package石英振动器(SPXO)
不施以温度操控及温度补偿的石英振动器。频率温度特性依托石英振动晶体自身的安稳性。
5.2 温度补偿石英振动器(TCXO)
附加温度补偿回路，削减其频率因周围温度改变而改动之石英振动器。
5.3 电压操控石英振动器(VCXO)
操控外来的电压，使输出频率可以改动或调变的石英振动器。
5.4 恒温槽式石英振动器(OCXO)
以恒温槽坚持石英振动器或石英振动晶体在必定温度，操控其输出频率在周围温度下也能坚持极小改动量之石英振动器。
除了以上四种振动器外，跟着PLL、Digital、Memory技能的使用，其他功用的多元化石英振动器也快速添加。
