ARM 于今(24)日宣告推出新款先进emBISTRx 嵌入式内存测验与修正体系。该体系与ARM Advantage及Metro内存编译器严密整合，而该两项内存编译器均为Artisan实体层IP系列中的一员。此款ARM推出的全工嵌入式内存子体系，整合了内建自我测验(Best-in-Self-Test, BIST)及内建自我修正(Best-in-Self-Repair, BISR)IP，使Advantage与Metro系列内存在迈入45纳米、65纳米及90纳米制程时，能进步全体芯片良率、下降芯片本钱、进步获利，以及增进制作测验的质量。
在纳米规划的年代，内存内容添加至数千个回忆单元(instance)，导致体系单芯片(System-on-chip, SoC)开发业者在办理功率、效能及尺度等规划参数的办理上，面对各个方面的应战。另一个首要的影响则是生产力的开发，以保证良率的进步及高质量的测验。
先进的ARM emBISTRx体系运用一套阶级式涣散架构，有别于现在选用专属控制器支撑各异内存类型的形式。ARM解决方案透过一套集中式的同享BIST/BISR 控制器，办理不同尺度与类型的缓存器档案与内存，以及置于内存单元旁的智能型包装器。ARM整合形式的利益在于可以在控制器、包装器及内存宏间，针对测验与修正逻辑进行最佳化切割，以下降全体内存子体系占用的空间。相较于传统的规划办法，按照规划与建置方法的不同，该架构平均可削减20%至30%的体系尺度。
此外，ARM emBISTRx解决方案有用下降了互连与配线拥塞的状况，从而节约空间并到达更快的时序收敛。这种节约空间的架构形式，使开研制业者能在有限的时刻内，针对时序要害途径进行最佳化，并支撑全速形式测验，以因应顾客及企业快速变迁的重要需求。
为了进步规划生产力，ARM emBISTRx系列参加一套自动化东西，能将BIST/BISR内建并整合至规划方案中，从而缩短建置时刻并扫除各种规划过错。ARM emBISTRx体系与ARM内存编译器严密结合，为开发业者供给一套简略易用的解决方案，以建置ARM嵌入式内存子体系。
除了传统确定规范内存过错类型外，ARM emBISTRx体系还包含许多算法，能侦测纳米技能中实践的硅组件瑕疵，如漏电、微弱位(weak bits)，以及其它因低良率而导致的纤细反响，如短路与开路。侦测型BIST算法能削减测验失效的可能性，让高产量产品能节约数百万美元的本钱。ARM emBISTRx 体系特别针对ARM的内存冗余架构进行调校，而该架构则以内存瑕疵材料、细胞单元良率(bit-cell yields)，以及相关晶圆厂的主张材料作为基础。
ARM实体IP部分行销副总裁Neal Carney表明：“当客户从90纳米转移至45纳米以下制程时，他们也面对了许多苛刻的应战，包含有必要供给良率更高、测验质量更佳、且满意空间与时序约束的内存。藉由ARM emBISTRx解决方案的推出，咱们供给一款空间优化的嵌入式内存子体系，严密结合测验及修正功用，使咱们的客户达到全体良率方针，并进步测验质量与赢利。此款解决方案帮忙业者战胜眼前的应战，在精细的SoC中参加测验与修正功用，以帮忙客户加速产品的上市时程。”
供应时程
ARM emBISTRx 产品即将于2006年第四季问市，并将依据客户挑选的内存与制程技能报价。
关于ARM(安谋世界科技股份有限公司)
ARM的先进技能为市面上各种先进数字产品的重要中心，其应用范畴规模宽广，包含无线通讯、网络、消费性文娱、印象、轿车、安全及贮存等范畴。ARM的完好产品线包含16/32位RISC微处理器、材料引擎、绘图处理器、数字数据库、嵌入式内存、外围设备、软件及开发东西。结合阵容庞大的合作伙伴社群，为客户供给完好、快速及可信赖的解决方案。如需更多有关ARM的信息，敬请阅读该公司网站http://www.arm.com。
