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产品概况
LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强壮的驱动才能降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。
LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行装备。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源能够在高出地电位达 114V 的电压条件下运转。
LTC4444-5 包括欠压闭锁电路，用于在器材启动时停用外部 MOSFET。LTC4444-5 还内置了自适应贯穿维护功用，用于阻挠两个 MOSFET 一起传导。
如需了解该产品系列的类似驱动器，请查阅下表。
| 参数 | LTC4444-5 | LTC4446 | LTC4444 |
| 贯穿维护功用 | 有 | 无 | 有 |
| 肯定最大TS | 100V | 100V | 100V |
| MOSFET 栅极驱动电压 | 4.5V 至 13.5V | 7.2V 至 13.5V | 7.2V 至 13.5V |
| VCC UV+ | 4V | 6.6V | 6.6V |
| VCC UV– | 3.5V | 6.15V | 6.15V |
使用
- 分布式电源架构
- 轿车电源
- 高密度电源模块
- 电信体系
优势和特色
- 自举电源电压至 114V
- 宽 VCC 电压：4.5V 至 13.5V
- 自适应贯穿维护功用
- 1.4A 峰值顶端栅极上拉电流
- 1.75A 峰值底端栅极上拉电流
- 1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
- 0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
- 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
- 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
- 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
- 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
- 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
- 欠压闭锁功用
- 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
LTC4444-5电路图
LTC4444-5中文PDF下载地址
LTC4444-5下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/44445fc.pdf
