IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因而,能够把其看作是MOS输入的达林顿管。它交融了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特色，已逐渐替代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是现在开展最为敏捷的新一代电力电子器材。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机傍边。
1. IGBT的作业原理
IGBT由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）三个极操控。如图1，IGBT的开关作用是经过加正向栅极电压构成沟道，给PNP晶体管供应基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，堵截基极电流，使IGBT关断。由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状况而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,堵截PNP晶体管基极电流的供应,使得晶体管截止。
图1 IGBT 结构图
图2 IGBT电气符号（左）与等效的电路图（右）
假如IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低则IGBT不能安稳的作业，假如过高乃至超越栅极—发射极之间的耐压，则IGBT可能会永久损坏。相同，假如IGBT集电极与发射极之间的电压超越答应值，则流过IGBT的电流会超限，导致IGBT的结温超越答应值，此刻IGBT也有可能会永久损坏。
2. IGBT极性判别
对IGBT进行检测时，应选用指针式万用表。首先将万用表拨到R×1KΩ档，用万用表丈量各极之间的阻值，若某一极与其它南北极阻值为无穷大，互换表笔后该极与其它南北极的阻值仍为无穷大，则此极为栅极（G）。再用万用表丈量其他南北极之间的阻值，若测得阻值为无穷大，互换表笔后阻值较小，当丈量阻值较小时，红表笔触摸的为集电极（C），黑表笔触摸的为发射极（E）。
图3 IGBT实物图
3. IGBT好坏的判别
判别IGBT好坏时有必要选用指针式万用表（电子式万用表内部电池电压太低），也能够运用9V电池替代。首先将万用表拨到R×10KΩ档（R×1KΩ档时，内部电压过低，缺乏以使IGBT导通），用黑表笔接IGBT的集电极（C）,红表笔接IGBT的发射极（E），此刻万用表的指针在零位。用手指一起触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针显着摇摆并指向阻值较小的方向并能维持在某一方位。然后再用手指一起触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。在检测中以上现象均契合，能够断定IGBT是好的，不然该IGBT存在问题。
