调制输入
激光二极管模组常常是装备了调制或衰减操控输入引脚，因而在LIV测验扫描中，或许需求参加2400型或2601型源表对衰减输入端施加偏置。
正向电压测验
正向电压由多子电流活动构成，因而是半导体资料和结温的函数。
正向电压测验能够在激光二极管和背光探测器上进行，用以确认半导体结的正向操作电压。一般地，2602型源表用以供给满足小的源电流（以防器材损害），然后丈量半导体结上的电压。鉴于探测器所用的半导体资料的温度系数一般为2mV/℃，半导体结的温度有必要事前获悉或进行操控。
反向击穿电压测验
跟着反向偏压添加，少子穿过半导体结的速度添加。在必定的反向偏压下，载流子所带着的能量足以经过磕碰引起电离作用。这时的反向偏压称为反向击穿电压。经过很好的操控反向击穿电压下的电流，能够防止半导体结被破坏。
反向击穿电压测验能够在激光二极管和背光探测器上进行。无损反向击穿电压测验能够经过供给-10μA源电流并丈量相应的半导体结电压完成。2602源表是这一丈量的抱负挑选。
漏电流测验
反偏的半导体结（略低于击穿电压的偏置电压下）会呈现由少子渡过耗尽区发生的漏电流。漏电流的巨细由电子电荷、掺杂浓度、半导体结面积和温度决议。激光二极管和背光探测器的漏电流测验由2602源表体系进行。一般，在半导体结上施加反向击穿电压的80%，然后丈量相应的漏电流。
关于光电二极管，这项测验一起可用于暗电流丈量。将激光二极管的偏置电压设置到零，经过在半导体结上施加一个电压偏置并丈量流过的电流，可得到暗电流的值。在这项丈量中，关键在于保证杂散光子不会磕碰到激光二极管或背光探测器上。
