技巧之一、不要运用双极型功率器材
由于双极型功率器材比mosFET廉价，一般是2美分左右一个，所以一些规划师为了下降led驱动本钱而运用双极型功率器材，这样会严重影响电路的可靠性，由于跟着LED驱动电路板温度的提高，双极型器材的有用工作范围会敏捷缩小，这样会导致器材在温度上升时毛病然后影响LED灯具的可靠性，正确的做法是要选用MOSFET器材，MOSFET器材的运用寿数要远远善于双极型器材。
技巧之二、MOSFET的耐压不要低于700V
耐压600V的MOSFET比较廉价，许多以为LED灯具的输入电压一般是220V,所以耐压600V足够了，可是许多时分电路电压会到340V,在有浪涌的时分，600V的MOSFET很简单被击穿，然后影响了LED灯具的寿数，实际上选用600VMOSFET或许节省了一些本钱可是支付的却是整个电路板的价值，所以尽量不要选用600V耐压的MOSFET,最好选用耐压超越700V的MOSFET”。
技巧之三、尽量不要运用电解电容
LED驱动电路中究竟要不要运用电解电容？现在，还没有一致定见。有人以为在LED驱动电路输入部分能够考虑不必电解电容，实际上运用PI的LinkSwitch-PH就能够省去电解电容，PI的单级PFC/恒流规划能够让规划师省去大容量电容，在输出电路中，能够用高耐压陶瓷电容来替代电解电容然后提高可靠性，有的人在规划两级电路的时分，在输出选用了一个400V的电解电容，这会严重影响电路的可靠性，主张选用单级电路用陶瓷电容就能够了。关于不太重视调光功用、高温环境及需求高可靠性的工业运用来说，主张不选用电解电容进行规划。
技巧之四、尽量运用MOSFET器材
假如规划的LED灯具功率不是很高，主张运用集成了MOSFET的LED驱动器产品，由于这样做的优点是集成MOSFET的导通电阻少，发生的热量要比分立的少，别的，便是集成的MOSFET是控制器和FET在一起，一般都有过热关断功用，在MOSFET过热时会主动关断电路到达维护LED灯具的意图，这对LED灯具非常重要，由于LED灯具一般很细巧且难以进行空气散热。
技巧之五、尽量运用单级架构电路
有些LED电路选用了两级架构，即”PFC（功率因数校对）+ 阻隔DC/DC变换器“的架构，这样的规划会下降电路的功率。例如，假如PFC的功率是95%,而DC/DC部分的功率是88%,则整个电路的功率会下降到83.6%!”PI的LinkSwitch-PH器材一起将PFC/CC控制器、一个725VMOSFET和MOSFET驱动器集成到单个封装中，将驱动电路的功率提高到87%！这样的器材可大大简化电路板布局规划，最多能省去传统阻隔反激式规划中所用的25个元件！省去的元件包含高压大容量电解电容和光耦器。LED两级架构适用于有必要运用第二个恒流驱动电路才能使PFC驱动LED恒流的老式驱动器。这些规划现已过期，不再具有本钱效益，因此在大多数情况下都最好选用单级规划。
经过以上五大点，规划时严厉看守，出产出来的产品经用、质量好。
