关于51单片机中C言语编写的准确延时函数

sbit LED = P1^0; // 界说一个管脚(延时测验用)
unsigned int i = 3; // 留意i,j的数据类型，
unsigned char j = 3; // 不同的数据类型延时有很大不同
//—————–各种准确延时句子———————————–
while( (i–)!=1 ); // 延时10*i个机器周期
i = 10; while( –i ); // 延时8*i+2个机器周期
i = 10; while( i– ); // 延时(i+1)*9+2个机器周期
j = 5; while( –j ); // 延时2*j+1个机器周期
j = 5; while( j– ); // 延时(j+1)*6+1个机器周期

i = 5;
while( –i ) // 延时i*10+2个机器周期，在i*10+2个机器周期
if( LED==0 ) break; // 内检测到LED管脚为低电平时跳出延时

i = 5;
while( LED ) // 每隔10个机器周期检测一次LED管脚状况，当LED
if( (–i)==0 ) break;// 为低时或许到了10*i+2个机器周期时跳出延时
//——————————————————————–

例如18b20的复位函数（12M晶振）:
//***********************************************************************
// 函数功用：18B20复位
// 进口参数：无
// 出口参数：unsigned char x： 0：成功 1：失利
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unsigned char ow_reset(void)
{
unsigned char x=0; // 12M晶振 1个机器周期为1us
DQ = 1; // DQ复位
j = 10; while(–j);// 稍做延时(延时10*2+1=21个机器周期，21us)
DQ = 0; // 单片机将DQ拉低
j = 85; while(j–);// 准确延时(大于480us) 85*6+1=511us
DQ = 1; // 拉高总线
j = 10; while(j–);// 准确延时10*6+1=61us
x = DQ; // 稍做延时后,
return x; // 假如x=0则初始化成功 x=1则初始化失利
j = 25; while(j–);// 准确延时25*6+1=151us
}
//*********************************************************************************

再如红外解码程序：
（先说传统红外解码的坏处：
程序中用了while(IR_IO);while(!IR_IO);这样的死循环，假如管脚一向处于一种状况，就会一向履行while，形成“死机”现象。当然这种状况很少，但咱们也的考虑到。而用以下程序则不会，在规则的时间内没有正确的电平信号就会回来主程序，这样就不会呈现“死机”了）

//***************************外部中止0*******************************
void int0(void) interrupt 0
{
unsigned char i,j;
unsigned int count = 800;
//————–8.5ms低电平引导码————————————-
while( –count )
if( IR_IO==1 ) return; // 在小于8ms内呈现高电平，回来
count = 100; // 延时1ms
while( !IR_IO ) // 等候高电平
if( (–count)==0 ) return; // 在9ms内未呈现高电平,回来
//————-4.5ms高电平引导码————————————
count = 410; // 延时4.1ms
while( –count ) // …
if( IR_IO==0 ) return; // 在4.1ms内呈现低电平，回来
count = 50; // 延时0.5ms
while( IR_IO ) // 等候低电平
if( (–count)==0 ) return; // 在4.7ms内未呈现低电平，回来
//—————————————————————–
//————4个数据码————————————
for( j=0;j<4;j++ )
{
for( i=0;i<8;i++ )
{
IR_data[j] <<= 1; // 装入数据
count = 60; // 延时0.6ms
while( !IR_IO ) // 等候高电平
if( (–count)==0 ) return; // 在0.6ms内未呈现高电平，回来
count = 40; // 低电平完毕，持续
while( –count ) // 延时0.4ms
if( IR_IO==0 ) return; // 在0.4ms内呈现低电平，回来
count = 100; // 延时1.4ms
while( IR_IO ) // 检测IO状况
if( (–count)==0 ) // 等候1.4ms到来
{ // 在1.4ms内都是高电平
IR_data[j] |= 1; // 两个单位高电平,为数据1
break; // 跳出循环
}
count = 20; // 延时0.2ms
while( IR_IO ) // 等候低电平跳出
if( (–count)==0 ) return; // 0.2ms内未呈现低电平，回来
}
}
//——————————————————————-
flag_IR = 1; // 置位红外接纳成功标志
}