1.EEPROM介绍
Electrically Erasable Programmable Read Only Memory电气可拭除可编程只读存储器
发展过程：ROM – 》 PROM –》 EPROM –》 EEPROM
2.EEPROM和FLASH的差异
2.1 使用上的差异
FLASH用于寄存程序，在程序运转过程中不能更改。咱们编写的程序是烧录到FLASH中的；
RAM用作程序运转时的数据存储器；
EEPROM用于寄存数据，是用来保存掉电后用户不期望丢的数据，开机时用到的参数。运转过程中能够改动。
FLASH是用于存储程序代码的，有些场合也或许用它来保存数据，当然条件是该单片机的FLASH工艺是能够自写的（运转中可擦写），但要留意FLASH的擦写次数一般小于一万次，并且一般FLASH只能按块擦除。EEPROM不能用来存程序，一般单片机的指令寻址不能到这个区域。EEPROM的擦写次数应有百万次，并且能够按字节擦写。EEPROM在一个PAGE内是能够恣意写的，FLSAH则必须先擦除成BLANK，然后再写入，而一般没有单字节擦除的功用，至少一个扇区擦除。
2.2 结构上的差异
EEPROM和FLASH都是非易失性存储器。
FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟惯例EEPROM的操作办法不同。
FLASH 和EEPROM的最大差异是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址办法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简略，相同容量占芯片面积较小，本钱天然比EEPROM低，因此合适用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM费事的多，所以更“人性化”的MCU规划会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型规划往往只要 FLASH，前期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
3.EEPROM的使用办法
AVRGCC里边自带有EEPROM读写函数。
使用时需包括头文件#include ，部分读写函数如下：
#define eeprom_is_ready（） bit_is_clear（EECR， EEWE）//检测EEPROM是否准备好。OK回来1（回来EEWE位）
#define eeprom_busy_wait（） do {} while （！eeprom_is_ready（））//等候EEPROM操作完结
extern uint8_t eeprom_read_byte （const uint8_t *addr）;//读取指定地址的一个字节8bit的EEPROM数据
extern uint16_t eeprom_read_word （const uint16_t *addr）;//读取指定地址的一个字16bit的EEPROM数据
extern void eeprom_read_block （void *buf， const void *addr， size_t n）;//读取由指定地址开端的指定长度的EEPROM数据
extern void eeprom_write_byte （uint8_t *addr， uint8_t val）;//向指定地址写入一个字节8bit的EEPROM数据
extern void eeprom_write_word （uint16_t *addr， uint16_t val）;//向指定地址写入一个字16bit的EEPROM数据
经过串口向单片机发送装备指令，单片机收到指令后，使用函数write_EEPROM_config（）将相应的装备信息寄存于EEPROM中。体系初始化时，使用函数read_EEPROM_config（）从EEPROM中取出相应的数据，用于体系的初始化。
