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LED灯的分类

本站为您提供的LED灯的分类,LED灯的分类  LED灯的分类1. LED灯按发光管发光颜色分       按发光管发光颜色分,可分成红色、橙色、绿色(又

LED灯的分类 

 LED灯的分类
1. LED灯按发光管发光色彩分
       按发光管发光色彩分,可分红赤色、橙色、绿色(又细分黄绿、规范绿和纯绿)、蓝光等。别的,有的发光二极管中包括二种或三种色彩的芯片。
       依据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色仍是无色,上述各种色彩的发光二极管还可分红有色通明、无色通明、有色散射和无色散射四品种型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。
2. LED灯按发光管出光面特征分
       按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、外表装置用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外一般把φ3mm的发光二极管记作T-1;把φ5mm的记作T-1(3/4);把φ4.4mm的记作T-1(1/4)。
       由半值角巨细能够估量圆形发光强度角分布状况。
       从发光强度角分布图来分有三类:
(1)高指向性。一般为尖头环氧封装,或是带金属反射腔封装,且不加散射剂。半值角为5°~20°或更小,具有很高的指向性,可作部分照明光源用,或与光检出器联用以组成自动检测体系。
(2)规范型。一般作指示灯用,其半值角为20°~45°。
(3)散射型。这是视角较大的指示灯,半值角为45°~90°或更大,散射剂的量较大。
3. 按发光二极管的结构分
按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。
4. 按发光强度和作业电流分
       按发光强度和作业电流分有一般亮度的LED(发光强度100mcd);把发光强度在10~100mcd间的叫高亮度发光二极管。一般LED的作业电流在十几mA至几十mA,而低电流LED的作业电流在2mA以下(亮度与一般发光管相同)。
        除上述分类办法外,还有按芯片资料分类及按功用分类的办法


led芯片分类
1.MB芯片界说与特色


界说﹕
       MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着)芯片﹔该芯片归于UEC 的专利产品


特色﹕
     1、 选用高散热系数的资料—Si  作为衬底﹐散热简单.


Thermal ConducTIvity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ~ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K


     2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,一起反射光子,防止衬底的吸收.
     3、导电的Si 衬底替代GaAs 衬底,具有杰出的热传导才能(导热系数相差3~4   倍),更适应于高驱动电流范畴。
     4、底部金属反射层﹐有利于光度的提高及散热
     5、尺度可加大﹐使用于High power 范畴﹐eg : 42mil MB


2.GB芯片界说和特色


界说﹕
       GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合)芯片﹔该芯片归于UEC 的专利产品
特色﹕
         1﹕通明的蓝宝石衬底替代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底相似TS芯片的GaP衬底.
         2﹕芯片四面发光﹐具有超卓的Pattern图
         3﹕亮度方面﹐其全体亮度已超越TS芯片的水平(8.6mil)
         4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片


3.TS芯片界说和特色


界说﹕
       TS 芯片﹕ transparent structure(通明衬底)芯片﹐该芯片归于HP 的专利产品。


特色﹕
    1.芯片工艺制造杂乱﹐远高于AS LED
    2. 信任性杰出
    3.通明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
    4.使用广泛


4.AS芯片界说与特色


界说﹕
       AS 芯片﹕Absorbable structure  (吸收衬底)芯片﹔通过近四十年的开展尽力﹐台湾LED光电业界关于该类型芯片的研制﹑出产﹑出售处于老练的阶段﹐各大公司在此方面的研制水平根本处于同一水平﹐距离不大.
      大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及牢靠度与台湾业界还有必定的距离﹐在这里咱们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等


特色﹕
    1. 四元芯片﹐选用 MOVPE工艺制备﹐亮度相关于惯例芯片要亮
    2. 信任性优秀
    3. 使用广泛


发光二极管芯片资料磊晶品种


1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP


2 、VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs


3 、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN


4 、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs


5 、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure, (双异型结构) GaAlAs/GaAs


6、 DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure,  (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

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