可控硅作业原理
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，剖析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示
图1 可控硅等效图解图
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于扩大状况。此刻，假如从操控极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2扩大，其集电极电流IC2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此刻，电流ic2再经BG1扩大，所以BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的成果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱满导通。
因为BG1和BG2所构成的正反馈效果，所以一旦可控硅导通后，即便操控极G的电流消失了，可控硅依然可以保持导通状况，因为触发信号只起触发效果，没有关断功用，所以这种可控硅是不行关断的。
因为可控硅只需导通和关断两种作业状况，所以它具有开关特性，这种特性需求必定的条件才干转化，此条件见表1
表1 可控硅导通和关断条件
状况 条件 阐明
从关断到导通 1、阳极电位高所以阴极电位
2、操控极有满足的正向电压和电流
两者缺一不行
保持导通 1、阳极电位高于阴极电位
2、阳极电流大于保持电流
两者缺一不行
从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位
2、阳极电流小于保持电流
任一条件即可
二、根本伏安特性
图2 可控硅根本伏安特性
可控硅的根本伏安特性见图2
（1）反向特性
当操控极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此刻只能流过很小的反向饱满电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流敏捷添加，图3的特性开端曲折，如特性OR段所示，曲折处的电压URO叫“反向转机电压”。此刻，可控硅会发作永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压
（2）正向特性
当操控极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与一般PN结的反向特性类似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状况，当电压添加，图3的特性发作了曲折，如特性OA段所示，曲折处的是UBO叫：正向转机电压
图4 阳极加正向电压
因为电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发作雪崩倍增效应，在结区发生很多的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区经过J1结注入N1区的空穴复合，相同，进入P2区的空穴与由N2区经过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能悉数复合掉，这样，在N1区就有电子堆集，在P2区就有空穴堆集，成果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只需电流稍添加，电压便敏捷下降，呈现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状况—通态，此刻，它的特性与一般的PN结正向特性类似，见图2中的BC段
3、触发导通
在操控极G上参加正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，构成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈效果（见图2）的基础上，加上IGT的效果，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
图5 阳极和操控极均加正向电压
